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prudutti

Merrill chip Novu è Originale in stock cumpunenti elettronichi circuit integratu IC IRFB4110PBF

breve descrizzione:


Detail di u produttu

Tags di u produttu

Attributi di u produttu

TIPU DESSCRIPTION
categuria Prudutti Semiconductor Discreti

Transistors - FET, MOSFET - Single

Mfr Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Pacchettu Tubu
Status di u produttu Attivu
Tipu FET Canale N
Tecnulugia MOSFET (ossidu di metallu)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current - Drain Continuu (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Tensione di Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4,5 mOhm @ 75 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Porta Carica (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V
Vgs (Max) ± 20 V
Capacità di input (Ciss) (Max) @ Vds 9620 pF @ 50 V
Funzione FET -
Dissipazione di putenza (Max) 370 W (Tc)
Temperature di funziunamentu -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipu di muntatura Attraversu Hole
Paquet di Dispositivi Fornitore TO-220AB
Pacchettu / Casu TO-220-3
U numeru di produttu di basa IRFB4110

Documenti & Media

TIPU DI RESOURCE LINK
Datasheets IRFB4110PbF
Altri Documenti Relativi Sistema di numerazione di parte IR
Moduli di furmazione di produttu Circuiti Integrati di Alta Tensione (HVIC Gate Drivers)
Pruduttu Featured Robotica è Veiculi guidati automatizati (AGV)

Sistemi di Trattamentu di Dati

Scheda di dati HTML IRFB4110PbF
Modelli EDA IRFB4110PBF da SnapEDA
Modelli di simulazione IRFB4110PBF Sabre Model

Classificazioni Ambientali è Export

ATTRIBUTU DESSCRIPTION
Status RoHS Conforme à ROHS3
Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL) 1 (illimitatu)
Status REACH REACH ùn hè micca affettatu
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Risorse supplementari

ATTRIBUTU DESSCRIPTION
Altri nomi 64-0076PBF-ND

64-0076PBF

SP001570598

Paquet Standard 50

A famiglia MOSFET di putenza Strong IRFET™ hè ottimizzata per un RDS bassu (on) è una capacità di corrente alta.I dispositi sò ideali per l'applicazioni à bassa frequenza chì necessitanu prestazioni è robustezza.U portafogliu cumpletu indirizza una larga gamma di applicazioni cumprese i motori DC, sistemi di gestione di batterie, inverter è cunvertitori DC-DC.

Riassuntu di funziunalità
Pacchettu di putenza à traversu standard di l'industria
Valutazione di alta corrente
Qualificazione di u produttu secondu u standard JEDEC
Siliciu ottimizatu per applicazioni chì cambianu sottu <100 kHz
Un diodu di corpu più morbidu cumparatu cù a generazione di siliciu precedente
Vasta cartera dispunibile

Beneficii
A pinout standard permette a goccia in rimpiazzamentu
Pacchettu di capacità di trasportu d'alta corrente
Livellu di qualificazione standard di l'industria
Alte prestazioni in applicazioni di bassa frequenza
Aumentu densità di putenza
Fornisce à i disegnatori flessibilità in a selezzione di u dispositivu più ottimale per a so applicazione

Parametrics

Parametrics IRFB4110
Prezzu di bilanciu €/1k 1,99
ID (@25°C) max 180 A
Muntà THT
Temperatura di funziunamentu min max -55 °C à 175 °C
Ptot max 370 W
Pacchettu TO-220
Polarità N
QG (tipu @10V) 150 nC
Qgd 43 nC
RDS (on) (@10V) max 4,5 mΩ
RthJC max 0,4 K/W
Tj max 175 °C
VDS max 100 V
VGS (th) min max 3 V 2 V 4 V
VGS max 20 V

Products Semiconductor discreti


I prudutti di semiconduttori discreti includenu transistori individuali, diodi è tiristori, è ancu picculi matrici di tali cumposti da dui, trè, quattru, o qualchì altru numaru di dispusitivi simili in un solu pacchettu.Sò più cumunimenti usati per a custruzzione di circuiti cun tensione considerableu o tensione attuale, o per realizà funzioni di circuitu assai basi.


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