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prudutti

Quotation BOM Componenti Elettronici Driver IC Chip IR2103STRPBF

breve descrizzione:


Detail di u produttu

Tags di u produttu

Attributi di u produttu

TIPU DESSCRIPTION
categuria Circuiti integrati (IC)

Gestione di l'energia (PMIC)

href="https://www.digikey.sg/en/products/filter/gate-drivers/730″ Gate Drivers

Mfr Infineon Technologies
Serie -
Pacchettu Tape & Reel (TR)

Tape Tape (CT)

Digi-Reel®

Status di u produttu Attivu
Cunfigurazione guidata Mezza ponte
Tipu di canali Indipendente
Numero di Drivers 2
Tipu di porta IGBT, MOSFET N-Channel
Tensione - Supply 10V ~ 20V
Tensione logica - VIL, VIH 0,8 V, 3 V
Current - Peak Output (Source, Sink) 210mA, 360mA
Tipu di input Inversione, Non-inversione
High Side Tension - Max (Bootstrap) 600 V
Tempu di salita / caduta (Tipu) 100 ns, 50 ns
Temperature di funziunamentu -40 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipu di muntatura Munti superficia
Pacchettu / Casu 8-SOIC (0,154″, 3,90 mm di larghezza)
Paquet di Dispositivi Fornitore 8-SOIC
U numeru di produttu di basa IR2103

Documenti & Media

TIPU DI RESOURCE LINK
Datasheets IR2103(S)(PbF)
Altri Documenti Relativi Guida di u numeru di parte
Moduli di furmazione di produttu Circuiti Integrati di Alta Tensione (HVIC Gate Drivers)
Scheda di dati HTML IR2103(S)(PbF)
Modelli EDA IR2103STRPBF da SnapEDA

Classificazioni Ambientali è Export

ATTRIBUTU DESSCRIPTION
Status RoHS Conforme à ROHS3
Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL) 2 (1 annu)
Status REACH REACH ùn hè micca affettatu
ECCN EAR99
HTSUS 8542.39.0001

Driver di porta

Un driver di porta hè un amplificatore di putenza chì accetta un input di bassa putenza da un controller IC è pruduce un input di drive d'alta corrente per a porta di un transistor d'alta putenza cum'è un IGBT o MOSFET di putenza.I driver di porta ponu esse furniti in chip o cum'è modulu discretu.In essenza, un driver di porta hè custituitu da un shifter di livellu in cumminazione cù un amplificatore.Un IC di driver di porta serve cum'è l'interfaccia trà i segnali di cuntrollu (controlleri digitali o analogichi) è l'interruttori di putenza (IGBT, MOSFET, MOSFET SiC è HEMT GaN).Una soluzione integrata di gate-driver riduce a cumplessità di u disignu, u tempu di sviluppu, a fattura di materiali (BOM) è u spaziu di u bordu mentre migliurà l'affidabilità di e soluzioni di gate-drive implementate in modu discretu.

Storia

In u 1989, International Rectifier (IR) hà introduttu u primu produttu di driver di porta HVIC monoliticu, a tecnulugia di circuitu integratu d'alta tensione (HVIC) usa strutture monolitiche patentate è patentate chì integranu dispositivi bipolari, CMOS è DMOS laterali cù tensioni di rottura sopra 700 V è 1400. V per tensioni offset di funziunamentu di 600 V è 1200 V.[2]

Utilizendu sta tecnulugia HVIC di signale mistu, ponu esse implementati sia circuiti di cambiamentu di livellu d'alta tensione sia circuiti analogici è digitali di bassa tensione.Cù a capacità di mette circuitry high-voltage (in un "bene" furmatu da anelli polysilicon), chì pò "float" 600 V o 1200 V, nantu à u listessu siliciu luntanu da u restu di i circuiti di bassa tensione, high-side MOSFET di putenza o IGBT esistenu in parechje topologie di circuiti off-line populari cum'è buck, boost sincronu, half-bridge, full-bridge è trifase.I driver di porta HVIC cù switch flottanti sò adattati per topologies chì necessitanu cunfigurazioni high-side, half-bridge è trifase.[3]

Scopu

In cuntrastu àtransistor bipolari, I MOSFET ùn necessitanu micca un input di putenza constante, sempre chì ùn sò micca stati accesi o spenti.L'elettrodu di porta isolatu di u MOSFET forma acondensatore(condensatore di porta), chì deve esse carica o scaricatu ogni volta chì u MOSFET hè attivatu o spento.Siccomu un transistor richiede una tensione di porta particulare per accende, u condensatore di porta deve esse caricatu à almenu a tensione di porta necessaria per chì u transistor sia attivatu.In listessu modu, per spegne u transistor, sta carica deve esse dissipata, vale à dì chì u condensatore di a porta deve esse scaricatu.

Quandu un transistor hè attivatu o disattivatu, ùn cambia micca immediatamente da un statu non-conduttivu à un statu conduttivu;è pò sustene in modu transitoriu una volta alta è cunduce una alta corrente.In cunseguenza, quandu u currente di a porta hè appiicata à un transistor per fà cambià, una certa quantità di calore hè generatu chì pò, in certi casi, esse abbastanza per distrughje u transistor.Per quessa, hè necessariu di mantene u tempu di cambiamentu u più breve pussibule, per minimizzàperdita di cambiamentu[de].I tempi tipici di cambiamentu sò in u intervalu di microsecondi.U tempu di commutazione di un transistor hè inversamente proporzionale à a quantità dicurrenteutilizatu per carricà a porta.Per quessa, i currenti di cunversione sò spessu necessarii in a gamma di parechji centumilliampere, o ancu in a gamma diampere.Per tensioni di porta tipica di circa 10-15V, parechjiwattsdi putenza pò esse necessariu per guidà u switch.Quandu i grandi currenti sò cambiati à frequenze alte, per esempiu inConvertitori DC à DCo grandemutori elettrici, i transistori multipli sò qualchì volta furnuti in parallelu, in modu di furnisce una corrente di commutazione abbastanza alta è una putenza di commutazione.

U signale di commutazione per un transistor hè generalmente generatu da un circuitu logicu o amicrocontroller, chì furnisce un signalu di output chì tipicamente hè limitatu à uni pochi milliampere di corrente.In cunseguenza, un transistor chì hè direttamente guidatu da un tali signale cambiassi assai lentamente, cù una perdita di putenza currispundente alta.Durante a commutazione, u condensatore di a porta di u transistor pò piglià corrente cusì rapidamente chì provoca un overdraw current in u circuitu logicu o microcontroller, causendu un surriscaldamentu chì porta à un dannu permanente o ancu una distruzzione completa di u chip.Per impediscenu chì questu accade, un driver di porta hè furnitu trà u signale di output di u microcontroller è u transistor di putenza.

Pompe di caricasò spessu usati inH-pontiin i drivers high side per a porta chì guidanu u n-channel high sideMOSFET di putenzaèIGBT.Sti dispusitivi sò usati per via di u so bonu funziunamentu, ma necessitanu una tensione di a porta di a porta uni pochi volti sopra u rail di putenza.Quandu u centru di un mezzu ponte scende, u condensatore hè carcu per via di un diodu, è sta carica hè aduprata per più tardi guidà a porta di a porta FET di u latu altu à pochi volti sopra a tensione di a fonte o di l'emettitore per accende.Questa strategia funziona bè sempre chì u ponte hè cambiatu regularmente è evita a cumplessità di avè da gestisce una fonte d'energia separata è permette à i dispositi n-canale più efficaci per esse utilizati sia per i commutatori alti sia bassi.


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