Merrill chip Novu è Originale in stock cumpunenti elettronichi circuit integratu IC IRFB4110PBF
Attributi di u produttu
| TIPU | DESSCRIPTION |
| categuria | Prudutti Semiconductor Discreti |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Pacchettu | Tubu |
| Status di u produttu | Attivu |
| Tipu FET | Canale N |
| Tecnulugia | MOSFET (ossidu di metallu) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Current - Drain Continuu (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Tensione di Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4,5 mOhm @ 75 A, 10 V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Porta Carica (Qg) (Max) @ Vgs | 210 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ± 20 V |
| Capacità di input (Ciss) (Max) @ Vds | 9620 pF @ 50 V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di putenza (Max) | 370 W (Tc) |
| Temperature di funziunamentu | -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
| Tipu di muntatura | Attraversu Hole |
| Paquet di Dispositivi Fornitore | TO-220AB |
| Pacchettu / Casu | TO-220-3 |
| U numeru di produttu di basa | IRFB4110 |
Documenti & Media
| TIPU DI RESOURCE | LINK |
| Datasheets | IRFB4110PbF |
| Altri Documenti Relativi | Sistema di numerazione di parte IR |
| Moduli di furmazione di produttu | Circuiti Integrati di Alta Tensione (HVIC Gate Drivers) |
| Pruduttu Featured | Robotica è Veiculi guidati automatizati (AGV) |
| Scheda di dati HTML | IRFB4110PbF |
| Modelli EDA | IRFB4110PBF da SnapEDA |
| Modelli di simulazione | IRFB4110PBF Sabre Model |
Classificazioni Ambientali è Export
| ATTRIBUTU | DESSCRIPTION |
| Status RoHS | Conforme à ROHS3 |
| Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL) | 1 (illimitatu) |
| Status REACH | REACH ùn hè micca affettatu |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Risorse supplementari
| ATTRIBUTU | DESSCRIPTION |
| Altri nomi | 64-0076PBF-ND 64-0076PBF SP001570598 |
| Paquet Standard | 50 |
A famiglia MOSFET di putenza Strong IRFET™ hè ottimizzata per un RDS bassu (on) è una capacità di corrente alta.I dispositi sò ideali per l'applicazioni à bassa frequenza chì necessitanu prestazioni è robustezza.U portafogliu cumpletu indirizza una larga gamma di applicazioni cumprese i motori DC, sistemi di gestione di batterie, inverter è cunvertitori DC-DC.
Riassuntu di funziunalità
Pacchettu di putenza à traversu standard di l'industria
Valutazione di alta corrente
Qualificazione di u produttu secondu u standard JEDEC
Siliciu ottimizatu per applicazioni chì cambianu sottu <100 kHz
Un diodu di corpu più morbidu cumparatu cù a generazione di siliciu precedente
Vasta cartera dispunibile
Beneficii
A pinout standard permette a goccia in rimpiazzamentu
Pacchettu di capacità di trasportu d'alta corrente
Livellu di qualificazione standard di l'industria
Alte prestazioni in applicazioni di bassa frequenza
Aumentu densità di putenza
Fornisce à i disegnatori flessibilità in a selezzione di u dispositivu più ottimale per a so applicazione
Parametrics
| Parametrics | IRFB4110 |
| Prezzu di bilanciu €/1k | 1,99 |
| ID (@25°C) max | 180 A |
| Muntà | THT |
| Temperatura di funziunamentu min max | -55 °C à 175 °C |
| Ptot max | 370 W |
| Pacchettu | TO-220 |
| Polarità | N |
| QG (tipu @10V) | 150 nC |
| Qgd | 43 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 4,5 mΩ |
| RthJC max | 0,4 K/W |
| Tj max | 175 °C |
| VDS max | 100 V |
| VGS (th) min max | 3 V 2 V 4 V |
| VGS max | 20 V |
Products Semiconductor discreti
I prudutti di semiconduttori discreti includenu transistori individuali, diodi è tiristori, è ancu picculi matrici di tali cumposti da dui, trè, quattru, o qualchì altru numaru di dispusitivi simili in un solu pacchettu.Sò più cumunimenti usati per a custruzzione di circuiti cun tensione considerableu o tensione attuale, o per realizà funzioni di circuitu assai basi.
