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Microcontroller IRFH5020TRPBF Chip IC di Circuitu Integratu Originale è Novu In Stock IRFH5020TRPBF

breve descrizzione:


Detail di u produttu

Tags di u produttu

Attributi di u produttu

TIPU DESSCRIPTION
categuria Prudutti Semiconductor Discreti

Transistors - FET, MOSFET - Single

Mfr Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Pacchettu Tape & Reel (TR)

Tape Tape (CT)

Digi-Reel®

Status di u produttu Attivu
Tipu FET Canale N
Tecnulugia MOSFET (ossidu di metallu)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Current - Drain Continuu (Id) @ 25 ° C 5,1 A (Ta)
Tensione di Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 7,5 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5 V @ 150 µA
Porta Carica (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V
Vgs (Max) ± 20 V
Capacità di input (Ciss) (Max) @ Vds 2290 pF @ 100 V
Funzione FET -
Dissipazione di putenza (Max) 3,6 W (Ta), 8,3 W (Tc)
Temperature di funziunamentu -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipu di muntatura Munti superficia
Paquet di Dispositivi Fornitore 8-PQFN (5×6)
Pacchettu / Casu 8-PowerTDFN
U numeru di produttu di basa IRFH5020

Documenti & Media

TIPU DI RESOURCE LINK
Datasheets IRFH5020PBF
Moduli di furmazione di produttu Circuiti Integrati di Alta Tensione (HVIC Gate Drivers)
Pruduttu Featured Sistemi di Trattamentu di Dati
Scheda di dati HTML IRFH5020PBF
Modelli di simulazione IRFH5020 Spice Model

Classificazioni Ambientali è Export

ATTRIBUTU DESSCRIPTION
Status RoHS Conforme à ROHS3
Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL) 1 (illimitatu)
Status REACH REACH ùn hè micca affettatu
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Risorse supplementari

ATTRIBUTU DESSCRIPTION
Altri nomi IRFH5020TRPBFDKR

IRFH5020TRPBFTR

IRFH5020TRPBFCT

IRFH5020TRPBF-ND

SP001575478

Paquet Standard 4 000

Un transistor hè un dispositivu semiconductor chì hè comunmente utilizatu in amplificatori o switches cuntrullati elettronicamente.I transistori sò i blocchi di basi chì regulanu u funziunamentu di l'urdinatori, i telefuni mobili è tutti l'altri circuiti elettronichi muderni.

A causa di a so rapidità di risposta rapida è d'alta precisione, i transistori ponu esse aduprati per una larga varietà di funzioni digitali è analogichi, cumprese amplificazione, commutazione, regulatore di tensione, modulazione di signale è oscillatore.I transistori ponu esse imballati individualmente o in una zona assai chjuca chì pò cuntene 100 milioni o più transistor cum'è parte di un circuitu integratu.

Comparatu cù u tubu elettronicu, u transistor hà assai vantaghji:

1.Component ùn hà micca cunsumu

Ùn importa micca quantu u tubu hè bonu, si deteriorerà gradualmente per via di cambiamenti in l'atomi di catodi è perdite di l'aria cronica.Per ragioni tecniche, i transistori anu avutu u stessu prublema quandu sò stati fatti prima.Cù l'avanzati in i materiali è e migliure in parechji aspetti, i transistori duranu tipicamente da 100 à 1000 volte più di i tubi elettronichi.

2.Consume assai pocu putere

Hè solu un decimu o decine di unu di u tubu elettroni.Ùn hè micca bisognu di calà u filamentu per pruduce elettroni liberi cum'è u tubu elettronicu.Una radiu transistor solu bisognu di uni pochi di batterie secche per sente per sei mesi à l'annu, chì hè difficiule di fà per a radiu di tubu.

3.No bisognu di preheat

U travagliu appena l'accende.Per esempiu, una radiu di transistor si spegne appena ch'ella hè attivata, è una televisione di transistor crea una foto appena accende.L'equipaggiu di tubu vacuum ùn pò micca fà quessa.Dopu à u boot, aspittà un pocu à sente u sonu, vede u ritrattu.Claramente, in l'armata, a misurazione, a registrazione, etc., i transistori sò assai vantaghji.

4.Strong è affidabile

100 volte più affidabile di u tubu elettroni, resistenza à u scossa, resistenza à a vibrazione, chì hè incomparabile à u tubu elettroni.Inoltre, a dimensione di u transistor hè solu una decima à una centesimi di a dimensione di u tubu di l'elettroni, assai poca liberazione di calore, pò esse usata per designà circuiti chjuchi, cumplessi è affidabili.Ancu s'è u prucessu di fabricazione di transistor hè precisu, u prucessu hè simplice, chì conduce à migliurà a densità di installazione di cumpunenti.


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