ordine_bg

prudutti

IPD068P03L3G novu serviziu originale di cumpunenti elettronichi IC chip MCU BOM in stock IPD068P03L3G

breve descrizzione:


Detail di u produttu

Tags di u produttu

Attributi di u produttu

TIPU DESSCRIPTION
categuria Prudutti Semiconductor Discreti

Transistors - FET, MOSFET - Single

Mfr Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Pacchettu Tape & Reel (TR)

Tape Tape (CT)

Digi-Reel®

Status di u produttu Attivu
Tipu FET Canale P
Tecnulugia MOSFET (ossidu di metallu)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Current - Drain Continuu (Id) @ 25 ° C 70A (Tc)
Tensione di Drive (Max Rds On, Min Rds On) 4,5 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6,8 mOhm @ 70 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2 V @ 150 µA
Porta Carica (Qg) (Max) @ Vgs 91 nC @ 10 V
Vgs (Max) ± 20 V
Capacità di input (Ciss) (Max) @ Vds 7720 pF @ 15 V
Funzione FET -
Dissipazione di putenza (Max) 100 W (Tc)
Temperature di funziunamentu -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipu di muntatura Munti superficia
Paquet di Dispositivi Fornitore PG-TO252-3
Pacchettu / Casu TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
U numeru di produttu di basa IPD068

Documenti & Media

TIPU DI RESOURCE LINK
Datasheets IPD068P03L3 G
Altri Documenti Relativi Guida di u numeru di parte
Pruduttu Featured Sistemi di Trattamentu di Dati
Scheda di dati HTML IPD068P03L3 G
Modelli EDA IPD068P03L3GATMA1 da Ultra Librarian

Classificazioni Ambientali è Export

ATTRIBUTU DESSCRIPTION
Status RoHS Conforme à ROHS3
Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL) 1 (illimitatu)
Status REACH REACH ùn hè micca affettatu
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Risorse supplementari

ATTRIBUTU DESSCRIPTION
Altri nomi IPD068P03L3GATMA1DKR

IPD068P03L3GATMA1-ND

SP001127838

IPD068P03L3GATMA1CT

IPD068P03L3GATMA1TR

Paquet Standard 2 500

Transistor

Un transistor hè adispusitivu semiconductoradupratu peramplificàocambiasignali elettrici èputenza.U transistor hè unu di i blocchi basi di u mudernul'elettronica.[1]Hè cumpostu dimateriale semiconductor, di solitu cù almenu trèterminaliper a cunnessione à un circuitu elettronicu.Atensioneocurrenteapplicata à un paru di terminali di u transistor cuntrolla u currente attraversu un altru paru di terminali.Perchè a putenza cuntrullata (output) pò esse più altu ch'è a putenza di cuntrollu (input), un transistor pò amplificà un signalu.Certi transistori sò imballati individualmente, ma assai più sò truvati incrustaticircuiti integrati.

austro-ungarico fisicu Julius Edgar Lilienfeldprupostu u cuncettu di atransistor à effettu di campuin u 1926, ma ùn era micca pussibule di custruisce un dispusitivu di travagliu in quellu tempu.[2]U primu dispusitivu di travagliu per esse custruitu era atransistor à puntu di cuntattuinventatu in u 1947 da i fisici americaniGhjuvanni BardeenèWalter Brattainmentre travaglia sottuWilliam ShockleyàBell Labs.I trè sparte u 1956Premiu Nobel in Fisicaper u so successu.[3]U tipu di transistor più utilizatu hè utransistor à effettu di campu à semiconduttore di metallu-ossidu(MOSFET), chì hè statu inventatu daMohamed AtallaèDawon Kahngà i Bell Labs in u 1959.[4][5][6]I transistori anu rivoluzionatu u campu di l'elettronica, è alluntanu a strada per i più chjuchi è più prezzuradios,calculatrici, èl'urdinatori, frà altre cose.

A maiò parte di i transistori sò fatti da assai purisiliciu, è certi dagermanium, ma certi altri materiali semiconductor sò qualchì volta usati.Un transistor pò avè solu un tipu di trasportatore di carica, in un transistor à effettu di campu, o pò avè dui tipi di trasportatori di carica intransistor di giunzione bipolaridispusitivi.Comparatu cù utubu à vacuum, i transistors sò generalmente più chjuchi è necessitanu menu putenza per operare.Certi tubi di vacuum anu vantaghji nantu à i transistori à frequenze operative assai elevate o tensioni operative elevate.Parechji tippi di transistori sò fatti à specificazioni standardizati da parechji fabricatori.


  • Previous:
  • Next:

  • Scrivite u vostru missaghju quì è mandate à noi