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prudutti

AQX IRF7416TRPBF Chip ic di Circuit integratu novu è originale IRF7416TRPBF

breve descrizzione:


Detail di u produttu

Tags di u produttu

Attributi di u produttu

TIPU DESSCRIPTION
categuria Prudutti Semiconductor Discreti

Transistors - FET, MOSFET - Single

Mfr Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Pacchettu Tape & Reel (TR)

Tape Tape (CT)

Digi-Reel®

Status di u produttu Attivu
Tipu FET Canale P
Tecnulugia MOSFET (ossidu di metallu)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Current - Drain Continuu (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)
Tensione di Drive (Max Rds On, Min Rds On) 4,5 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 5,6 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Porta Carica (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V
Vgs (Max) ± 20 V
Capacità di input (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V
Funzione FET -
Dissipazione di putenza (Max) 2,5 W (Ta)
Temperature di funziunamentu -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipu di muntatura Munti superficia
Paquet di Dispositivi Fornitore 8-SO
Pacchettu / Casu 8-SOIC (0,154″, 3,90 mm di larghezza)
U numeru di produttu di basa IRF 7416

Documenti & Media

TIPU DI RESOURCE LINK
Datasheets IRF 7416PbF
Altri Documenti Relativi Sistema di numerazione di parte IR
Moduli di furmazione di produttu Circuiti Integrati di Alta Tensione (HVIC Gate Drivers)

MOSFET di potenza discreta 40V è sottu

Pruduttu Featured Sistemi di Trattamentu di Dati
Scheda di dati HTML IRF 7416PbF
Modelli EDA IRF7416TRPBF da Ultra Librarian
Modelli di simulazione IRF7416PBF Sabre Model

Classificazioni Ambientali è Export

ATTRIBUTU DESSCRIPTION
Status RoHS Conforme à ROHS3
Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL) 1 (illimitatu)
Status REACH REACH ùn hè micca affettatu
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Risorse supplementari

ATTRIBUTU DESSCRIPTION
Altri nomi IRF7416TRPBFDKR

SP001554262

IRF7416TRPBFCT

IRF7416TRPBF-ND

IRF7416TRPBFTR

Paquet Standard 4 000

IRF 7416

Beneficii
Struttura di cellule planare per una SOA larga
Ottimizatu per a più larga dispunibilità da i partenarii di distribuzione
Qualificazione di u produttu secondu u standard JEDEC
Siliciu ottimizatu per applicazioni chì cambianu sottu <100KHz
Pacchettu di putenza standard di a superficia di l'industria
Capace di esse saldatu à onda
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in un pacchettu SO-8
Beneficii
Conforme à RoHS
RDS bassu (attivatu)
Qualità di punta in l'industria
Valutazione dinamica dv/dt
Cambiamentu veloce
Completamente classificatu à avalanche
Temperature d'opération 175°C
MOSFET P-Channel

Transistor

Un transistor hè adispusitivu semiconductoradupratu peramplificàocambiasignali elettrici èputenza.U transistor hè unu di i blocchi basi di u mudernul'elettronica.[1]Hè cumpostu dimateriale semiconductor, di solitu cù almenu trèterminaliper a cunnessione à un circuitu elettronicu.Atensioneocurrenteapplicata à un paru di terminali di u transistor cuntrolla u currente attraversu un altru paru di terminali.Perchè a putenza cuntrullata (output) pò esse più altu ch'è a putenza di cuntrollu (input), un transistor pò amplificà un signalu.Certi transistori sò imballati individualmente, ma assai più sò truvati incrustaticircuiti integrati.

austro-ungarico fisicu Julius Edgar Lilienfeldprupostu u cuncettu di atransistor à effettu di campuin u 1926, ma ùn era micca pussibule di custruisce un dispusitivu di travagliu in quellu tempu.[2]U primu dispusitivu di travagliu per esse custruitu era atransistor à puntu di cuntattuinventatu in u 1947 da i fisici americaniGhjuvanni BardeenèWalter Brattainmentre travaglia sottuWilliam ShockleyàBell Labs.I trè sparte u 1956Premiu Nobel in Fisicaper u so successu.[3]U tipu di transistor più utilizatu hè utransistor à effettu di campu à semiconduttore di metallu-ossidu(MOSFET), chì hè statu inventatu daMohamed AtallaèDawon Kahngà i Bell Labs in u 1959.[4][5][6]I transistori anu rivoluzionatu u campu di l'elettronica, è alluntanu a strada per i più chjuchi è più prezzuradios,calculatrici, èl'urdinatori, frà altre cose.

A maiò parte di i transistori sò fatti da assai purisiliciu, è certi dagermanium, ma certi altri materiali semiconductor sò qualchì volta usati.Un transistor pò avè solu un tipu di trasportatore di carica, in un transistor à effettu di campu, o pò avè dui tipi di trasportatori di carica intransistor di giunzione bipolaridispusitivi.Comparatu cù utubu à vacuum, i transistors sò generalmente più chjuchi è necessitanu menu putenza per operare.Certi tubi di vacuum anu vantaghji nantu à i transistori à frequenze operative assai elevate o tensioni operative elevate.Parechji tippi di transistori sò fatti à specificazioni standardizati da parechji fabricatori.


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