IPD068P03L3G novu serviziu originale di cumpunenti elettronichi IC chip MCU BOM in stock IPD068P03L3G
Attributi di u produttu
TIPU | DESSCRIPTION |
categuria | Prudutti Semiconductor Discreti |
Mfr | Infineon Technologies |
Serie | OptiMOS™ |
Pacchettu | Tape & Reel (TR) Tape Tape (CT) Digi-Reel® |
Status di u produttu | Attivu |
Tipu FET | Canale P |
Tecnulugia | MOSFET (ossidu di metallu) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
Current - Drain Continuu (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
Tensione di Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6,8 mOhm @ 70 A, 10 V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2 V @ 150 µA |
Porta Carica (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ± 20 V |
Capacità di input (Ciss) (Max) @ Vds | 7720 pF @ 15 V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di putenza (Max) | 100 W (Tc) |
Temperature di funziunamentu | -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
Tipu di muntatura | Munti superficia |
Paquet di Dispositivi Fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchettu / Casu | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
U numeru di produttu di basa | IPD068 |
Documenti & Media
TIPU DI RESOURCE | LINK |
Datasheets | IPD068P03L3 G |
Altri Documenti Relativi | Guida di u numeru di parte |
Pruduttu Featured | Sistemi di Trattamentu di Dati |
Scheda di dati HTML | IPD068P03L3 G |
Modelli EDA | IPD068P03L3GATMA1 da Ultra Librarian |
Classificazioni Ambientali è Export
ATTRIBUTU | DESSCRIPTION |
Status RoHS | Conforme à ROHS3 |
Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL) | 1 (illimitatu) |
Status REACH | REACH ùn hè micca affettatu |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Risorse supplementari
ATTRIBUTU | DESSCRIPTION |
Altri nomi | IPD068P03L3GATMA1DKR IPD068P03L3GATMA1-ND SP001127838 IPD068P03L3GATMA1CT IPD068P03L3GATMA1TR |
Paquet Standard | 2 500 |
Transistor
Un transistor hè adispusitivu semiconductoradupratu peramplificàocambiasignali elettrici èputenza.U transistor hè unu di i blocchi basi di u mudernul'elettronica.[1]Hè cumpostu dimateriale semiconductor, di solitu cù almenu trèterminaliper a cunnessione à un circuitu elettronicu.Atensioneocurrenteapplicata à un paru di terminali di u transistor cuntrolla u currente attraversu un altru paru di terminali.Perchè a putenza cuntrullata (output) pò esse più altu ch'è a putenza di cuntrollu (input), un transistor pò amplificà un signalu.Certi transistori sò imballati individualmente, ma assai più sò truvati incrustaticircuiti integrati.
austro-ungarico fisicu Julius Edgar Lilienfeldprupostu u cuncettu di atransistor à effettu di campuin u 1926, ma ùn era micca pussibule di custruisce un dispusitivu di travagliu in quellu tempu.[2]U primu dispusitivu di travagliu per esse custruitu era atransistor à puntu di cuntattuinventatu in u 1947 da i fisici americaniGhjuvanni BardeenèWalter Brattainmentre travaglia sottuWilliam ShockleyàBell Labs.I trè sparte u 1956Premiu Nobel in Fisicaper u so successu.[3]U tipu di transistor più utilizatu hè utransistor à effettu di campu à semiconduttore di metallu-ossidu(MOSFET), chì hè statu inventatu daMohamed AtallaèDawon Kahngà i Bell Labs in u 1959.[4][5][6]I transistori anu rivoluzionatu u campu di l'elettronica, è alluntanu a strada per i più chjuchi è più prezzuradios,calculatrici, èl'urdinatori, frà altre cose.
A maiò parte di i transistori sò fatti da assai purisiliciu, è certi dagermanium, ma certi altri materiali semiconductor sò qualchì volta usati.Un transistor pò avè solu un tipu di trasportatore di carica, in un transistor à effettu di campu, o pò avè dui tipi di trasportatori di carica intransistor di giunzione bipolaridispusitivi.Comparatu cù utubu à vacuum, i transistors sò generalmente più chjuchi è necessitanu menu putenza per operare.Certi tubi di vacuum anu vantaghji nantu à i transistori à frequenze operative assai elevate o tensioni operative elevate.Parechji tippi di transistori sò fatti à specificazioni standardizati da parechji fabricatori.