TO-252 IPD33CN10NG Cù Transistor Chip di Alta Qualità Prezzu Novu è Originale
Attributi di u produttu
TIPU | DESSCRIPTION |
categuria | Prudutti Semiconductor Discreti |
Mfr | Infineon Technologies |
Serie | OptiMOS™ |
Pacchettu | Tape & Reel (TR) Tape Tape (CT) Digi-Reel® |
Status di u produttu | Attivu |
Tipu FET | Canale N |
Tecnulugia | MOSFET (ossidu di metallu) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
Current - Drain Continuu (Id) @ 25 ° C | 27A (Tc) |
Tensione di Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 27 A, 10 V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 29µA |
Porta Carica (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ± 20 V |
Capacità di input (Ciss) (Max) @ Vds | 1570 pF @ 50 V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di putenza (Max) | 58W (Tc) |
Temperature di funziunamentu | -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
Tipu di muntatura | Munti superficia |
Paquet di Dispositivi Fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchettu / Casu | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
U numeru di produttu di basa | IPD33CN10 |
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Vede simile
Documenti & Media
TIPU DI RESOURCE | LINK |
Datasheets | IPx3xCN10N G |
Altri Documenti Relativi | Guida di u numeru di parte |
Pruduttu Featured | Sistemi di Trattamentu di Dati |
Scheda di dati HTML | IPx3xCN10N G |
Modelli di simulazione | MOSFET OptiMOS™ 100V N-Channel Spice Model |
Classificazioni Ambientali è Export
ATTRIBUTU | DESSCRIPTION |
Status RoHS | Conforme à ROHS3 |
Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL) | 1 (illimitatu) |
Status REACH | REACH ùn hè micca affettatu |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Risorse supplementari
ATTRIBUTU | DESSCRIPTION |
Altri nomi | IPD33CN10NGATMA1-ND IPD33CN10NGATMA1CT IPD33CN10NGATMA1TR SP001127812 IPD33CN10NGATMA1DKR |
Paquet Standard | 2 500 |
Un transistor hè un dispositivu semiconductor chì hè comunmente utilizatu in amplificatori o switches cuntrullati elettronicamente.I transistori sò i blocchi di basi chì regulanu u funziunamentu di l'urdinatori, i telefuni mobili è tutti l'altri circuiti elettronichi muderni.
A causa di a so rapidità di risposta rapida è d'alta precisione, i transistori ponu esse aduprati per una larga varietà di funzioni digitali è analogichi, cumprese amplificazione, commutazione, regulatore di tensione, modulazione di signale è oscillatore.I transistori ponu esse imballati individualmente o in una zona assai chjuca chì pò cuntene 100 milioni o più transistor cum'è parte di un circuitu integratu.
Comparatu cù u tubu elettronicu, u transistor hà assai vantaghji:
1.Component ùn hà micca cunsumu
Ùn importa micca quantu u tubu hè bonu, si deteriorerà gradualmente per via di cambiamenti in l'atomi di catodi è perdite di l'aria cronica.Per ragioni tecniche, i transistori anu avutu u stessu prublema quandu sò stati fatti prima.Cù l'avanzati in i materiali è e migliure in parechji aspetti, i transistori duranu tipicamente da 100 à 1000 volte più di i tubi elettronichi.
2.Consume assai pocu putere
Hè solu un decimu o decine di unu di u tubu elettroni.Ùn hè micca bisognu di calà u filamentu per pruduce elettroni liberi cum'è u tubu elettronicu.Una radiu transistor solu bisognu di uni pochi di batterie secche per sente per sei mesi à l'annu, chì hè difficiule di fà per a radiu di tubu.
3.No bisognu di preheat
U travagliu appena l'accende.Per esempiu, una radiu di transistor si spegne appena ch'ella hè attivata, è una televisione di transistor crea una foto appena accende.L'equipaggiu di tubu vacuum ùn pò micca fà quessa.Dopu à u boot, aspittà un pocu à sente u sonu, vede u ritrattu.Claramente, in l'armata, a misurazione, a registrazione, etc., i transistori sò assai vantaghji.
4.Strong è affidabile
100 volte più affidabile di u tubu elettroni, resistenza à u scossa, resistenza à a vibrazione, chì hè incomparabile à u tubu elettroni.Inoltre, a dimensione di u transistor hè solu una decima à una centesimi di a dimensione di u tubu di l'elettroni, assai poca liberazione di calore, pò esse usata per designà circuiti chjuchi, cumplessi è affidabili.Ancu s'è u prucessu di fabricazione di transistor hè precisu, u prucessu hè simplice, chì conduce à migliurà a densità di installazione di cumpunenti.