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prudutti

Circuiti integrati IRFH5007TRPBF IC Chip IRFH5007TRPBF à u megliu prezzu

breve descrizzione:


Detail di u produttu

Tags di u produttu

Attributi di u produttu

TIPU DESSCRIPTION
categuria Prudutti Semiconductor Discreti

Transistors - FET, MOSFET - Single

Mfr Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Pacchettu Tape & Reel (TR)

Tape Tape (CT)

Digi-Reel®

Status di u produttu Last Time Buy
Tipu FET Canale N
Tecnulugia MOSFET (ossidu di metallu)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
Current - Drain Continuu (Id) @ 25 ° C 17A (Ta), 100A (Tc)
Tensione di Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5,9 mOhm @ 50 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA
Porta Carica (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V
Vgs (Max) ± 20 V
Capacità di input (Ciss) (Max) @ Vds 4290 pF @ 25 V
Funzione FET -
Dissipazione di putenza (Max) 3,6 W (Ta), 156 W (Tc)
Temperature di funziunamentu -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipu di muntatura Munti superficia
Paquet di Dispositivi Fornitore 8-PQFN (5×6)
Pacchettu / Casu 8-PowerTDFN
U numeru di produttu di basa IRFH5007

Documenti & Media

TIPU DI RESOURCE LINK
Datasheets IRFH5007PbF
Moduli di furmazione di produttu Circuiti Integrati di Alta Tensione (HVIC Gate Drivers)
L'infurmazione ambientale PQFN 5 × 6 Conformità RoHS
Pruduttu Featured Sistemi di Trattamentu di Dati
Scheda di dati HTML IRFH5007PbF
Modelli EDA IRFH5007TRPBF da Ultra Librarian
Modelli di simulazione IRFH5007PBF Spice Model

Classificazioni Ambientali è Export

ATTRIBUTU DESSCRIPTION
Status RoHS Conforme à ROHS3
Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL) 1 (illimitatu)
Status REACH REACH ùn hè micca affettatu
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Risorse supplementari

ATTRIBUTU DESSCRIPTION
Altri nomi IRFH5007TRPBF-ND

IRFH5007TRPBFCT

SP001564166

IRFH5007TRPBFDKR

IRFH5007TRPBFTR

Paquet Standard 4 000

Un transistor hè un dispositivu semiconductor chì hè comunmente utilizatu in amplificatori o switches cuntrullati elettronicamente.I transistori sò i blocchi di basi chì regulanu u funziunamentu di l'urdinatori, i telefuni mobili è tutti l'altri circuiti elettronichi muderni.

A causa di a so rapidità di risposta rapida è d'alta precisione, i transistori ponu esse aduprati per una larga varietà di funzioni digitali è analogichi, cumprese amplificazione, commutazione, regulatore di tensione, modulazione di signale è oscillatore.I transistori ponu esse imballati individualmente o in una zona assai chjuca chì pò cuntene 100 milioni o più transistor cum'è parte di un circuitu integratu.

Comparatu cù u tubu elettronicu, u transistor hà assai vantaghji:

1.Component ùn hà micca cunsumu

Ùn importa micca quantu u tubu hè bonu, si deteriorerà gradualmente per via di cambiamenti in l'atomi di catodi è perdite di l'aria cronica.Per ragioni tecniche, i transistori anu avutu u stessu prublema quandu sò stati fatti prima.Cù l'avanzati in i materiali è e migliure in parechji aspetti, i transistori duranu tipicamente da 100 à 1000 volte più di i tubi elettronichi.

2.Consume assai pocu putere

Hè solu un decimu o decine di unu di u tubu elettroni.Ùn hè micca bisognu di calà u filamentu per pruduce elettroni liberi cum'è u tubu elettronicu.Una radiu transistor solu bisognu di uni pochi di batterie secche per sente per sei mesi à l'annu, chì hè difficiule di fà per a radiu di tubu.

3.No bisognu di preheat

U travagliu appena l'accende.Per esempiu, una radiu di transistor si spegne appena ch'ella hè attivata, è una televisione di transistor crea una foto appena accende.L'equipaggiu di tubu vacuum ùn pò micca fà quessa.Dopu à u boot, aspittà un pocu à sente u sonu, vede u ritrattu.Claramente, in l'armata, a misurazione, a registrazione, etc., i transistori sò assai vantaghji.

4.Strong è affidabile

100 volte più affidabile di u tubu elettroni, resistenza à u scossa, resistenza à a vibrazione, chì hè incomparabile à u tubu elettroni.Inoltre, a dimensione di u transistor hè solu una decima à una centesimi di a dimensione di u tubu di l'elettroni, assai poca liberazione di calore, pò esse usata per designà circuiti chjuchi, cumplessi è affidabili.Ancu s'è u prucessu di fabricazione di transistor hè precisu, u prucessu hè simplice, chì conduce à migliurà a densità di installazione di cumpunenti.


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