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prudutti

Originale Novu In Magazzina MOSFET Transistor Diode Tiristor SOT-223 BSP125H6327 IC Chip Componente Elettronica

breve descrizzione:


Detail di u produttu

Tags di u produttu

Attributi di u produttu

TIPU DESSCRIPTION
categuria Prudutti Semiconductor Discreti

Transistors - FET, MOSFET - Single

Mfr Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Pacchettu Tape & Reel (TR)

Tape Tape (CT)

Digi-Reel®

Status di u produttu Attivu
Tipu FET Canale N
Tecnulugia MOSFET (ossidu di metallu)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Current - Drain Continuu (Id) @ 25 ° C 120 mA (Ta)
Tensione di Drive (Max Rds On, Min Rds On) 4,5 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 Ohm @ 120 mA, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2,3 V @ 94 µA
Porta Carica (Qg) (Max) @ Vgs 6,6 nC @ 10 V
Vgs (Max) ± 20 V
Capacità di input (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 25 V
Funzione FET -
Dissipazione di putenza (Max) 1,8 W (Ta)
Temperature di funziunamentu -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipu di muntatura Munti superficia
Paquet di Dispositivi Fornitore PG-SOT223-4
Pacchettu / Casu TO-261-4, TO-261AA
U numeru di produttu di basa BSP125

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Documenti & Media

TIPU DI RESOURCE LINK
Datasheets BSP125
Altri Documenti Relativi Guida di u numeru di parte
Pruduttu Featured Sistemi di Trattamentu di Dati
Scheda di dati HTML BSP125
Modelli di simulazione MOSFET OptiMOS™ 240V, 400V, 600V è 800V N-Channel Spice Model

Classificazioni Ambientali è Export

ATTRIBUTU DESSCRIPTION
Status RoHS Conforme à ROHS3
Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL) 1 (illimitatu)
Status REACH REACH ùn hè micca affettatu
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Risorse supplementari

ATTRIBUTU DESSCRIPTION
Altri nomi SP001058576

BSP125H6327XTSA1TR

BSP125H6327XTSA1CT

BSP125H6327XTSA1DKR

Paquet Standard 1 000

Un transistor hè un dispositivu semiconductor chì hè comunmente utilizatu in amplificatori o switches cuntrullati elettronicamente.I transistori sò i blocchi di basi chì regulanu u funziunamentu di l'urdinatori, i telefuni mobili è tutti l'altri circuiti elettronichi muderni.

A causa di a so rapidità di risposta rapida è d'alta precisione, i transistori ponu esse aduprati per una larga varietà di funzioni digitali è analogichi, cumprese amplificazione, commutazione, regulatore di tensione, modulazione di signale è oscillatore.I transistori ponu esse imballati individualmente o in una zona assai chjuca chì pò cuntene 100 milioni o più transistor cum'è parte di un circuitu integratu.

Comparatu cù u tubu elettronicu, u transistor hà assai vantaghji:

U cumpunente ùn hà micca cunsumu

Ùn importa micca quantu u tubu hè bonu, si deteriorerà gradualmente per via di cambiamenti in l'atomi di catodi è perdite di l'aria cronica.Per ragioni tecniche, i transistori anu avutu u stessu prublema quandu sò stati fatti prima.Cù l'avanzati in i materiali è e migliure in parechji aspetti, i transistori duranu tipicamente da 100 à 1000 volte più di i tubi elettronichi.

Cunsumà assai pocu putere

Hè solu un decimu o decine di unu di u tubu elettroni.Ùn hè micca bisognu di calà u filamentu per pruduce elettroni liberi cum'è u tubu elettronicu.Una radiu transistor solu bisognu di uni pochi di batterie secche per sente per sei mesi à l'annu, chì hè difficiule di fà per a radiu di tubu.

Ùn ci hè bisognu di preriscaldamentu

U travagliu appena l'accende.Per esempiu, una radiu di transistor si spegne appena ch'ella hè attivata, è una televisione di transistor crea una foto appena accende.L'equipaggiu di tubu vacuum ùn pò micca fà quessa.Dopu à u boot, aspittà un pocu à sente u sonu, vede u ritrattu.Claramente, in l'armata, a misurazione, a registrazione, etc., i transistori sò assai vantaghji.

Forte è affidabile

100 volte più affidabile di u tubu elettroni, resistenza à u scossa, resistenza à a vibrazione, chì hè incomparabile à u tubu elettroni.Inoltre, a dimensione di u transistor hè solu una decima à una centesimi di a dimensione di u tubu di l'elettroni, assai poca liberazione di calore, pò esse usata per designà circuiti chjuchi, cumplessi è affidabili.Ancu s'è u prucessu di fabricazione di transistor hè precisu, u prucessu hè simplice, chì conduce à migliurà a densità di installazione di cumpunenti.


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