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Introduzione à u prucessu di triturazione di u wafer Back Grinding

Introduzione à u prucessu di triturazione di u wafer Back Grinding

 

I wafers chì anu subitu processu di front-end è passati a prova di wafer cumincianu a trasfurmazioni back-end cù Back Grinding.Back grinding hè u prucessu di thinning u spinu di l'ostia, u scopu di quale ùn hè micca solu per riduce u gruixu di l'ostia, ma ancu di cunnette i prucessi di fronte è di ritornu per risolve i prublemi trà i dui prucessi.U più sottile u Chip semiconductor, più chips ponu esse impilati è più altu l'integrazione.In ogni casu, più altu hè l'integrazione, più bassu u rendiment di u pruduttu.Dunque, ci hè una cuntradizzione trà integrazione è migliurà u rendiment di u produttu.Per quessa, u metudu Grinding chì determina u grossu di wafer hè unu di i chjavi per riduce u costu di chips semiconductor è determinà a qualità di u produttu.

1. U scopu di Back Grinding

In u prucessu di fabricazione di semiconduttori da wafers, l'apparenza di wafers cambia constantemente.Prima, in u prucessu di fabricazione di wafer, u Bordu è a superficia di l'ostia sò lucidati, un prucessu chì di solitu macina i dui lati di l'ostia.Dopu à a fine di u prucessu di front-end, pudete principià u prucessu di grinding backside chì solu macina u spinu di l'ostia, chì pò sguassà a contaminazione chimica in u prucessu di front-end è riduce u grossu di u chip, chì hè assai adattatu. per a produzzione di chips sottili muntati nantu à carte IC o dispositi mobili.Inoltre, stu prucessu hà i vantaghji di riduce a resistenza, riducendu u cunsumu di energia, aumentendu a conduttività termale è dissipà rapidamente u calore à u spinu di l'ostia.Ma à u stessu tempu, perchè l'ostia hè magre, hè faciule esse rottu o deformatu da e forze esterne, facendu u passu di trasfurmazioni più difficili.

2. Back Grinding (Back Grinding) prucessu detallatu

Back grinding pò esse divisu in i seguenti trè passi: prima, pasta protettiva Tape Lamination nant'à u wafer;Siconda, macinate u spinu di l'ostia;Terzu, prima di separà u chip da u Wafer, u wafer deve esse postu nantu à u Wafer Mounting chì prutegge a cinta.U prucessu di patch wafer hè a tappa di preparazione per separà uchip(tagliate u chip) è dunque pò ancu esse inclusu in u prucessu di taglio.Nta l'ultimi anni, cum'è i patatine fritte sò diventate più sottili, a sequenza di u prucessu pò ancu cambià, è i passi di u prucessu sò diventati più raffinati.

3. Prucessu di Laminazione Tape per a prutezzione di wafer

U primu passu in a macinazione posteriore hè u revestimentu.Questu hè un prucessu di revestimentu chì appiccica a cinta à u fronte di l'ostia.Quandu si trituranu nantu à u spinu, i composti di siliciu si sparghjeranu intornu, è a wafer pò ancu crack o warp per via di e forze esterne durante stu prucessu, è più grande hè a zona di wafer, più suscettibile à stu fenomenu.Per quessa, prima di macinà u spinu, un filmu blu Ultra Violet (UV) hè attaccatu per prutege l'ostia.

Quandu si applicà a film, per ùn fà micca spazii o bolle d'aria trà l'ostia è a cinta, hè necessariu di aumentà a forza adhesiva.In ogni casu, dopu a macinazione in u spinu, a cinta nantu à l'ostia deve esse irradiata da a luce ultravioletta per riduce a forza adhesiva.Dopu a striscia, i residui di cinta ùn deve micca stà nantu à a superficia di l'ostia.Calchì volta, u prucessu hà da aduprà una aderenza debbule è propensu à bubble non-ultraviolet riduzzione di trattamentu di membrana, ancu s'è parechji disadvantages, ma di prezzu.Inoltre, i film Bump, chì sò duie volte più grossi di e membrane di riduzzione UV, sò ancu utilizati, è sò previsti per esse utilizati cù una frequenza crescente in u futuru.

 

4. U gruixu di wafer hè inversamente proporzionale à u pacchettu di chip

L'épaisseur des wafers après la rectification de l'arrière est généralement réduite de 800-700 µm à 80-70 µm.Wafers diluita finu à un decimu pò stack quattru à sei strati.Ricertamenti, i wafers ponu ancu esse diluita à circa 20 millimetri da un prucessu di dui macinazioni, impilando cusì à 16 à 32 strati, una struttura di semiconductor multi-layer cunnisciuta cum'è un pacchettu multi-chip (MCP).In questu casu, malgradu l'usu di parechje strati, l'altitudine tutale di u pacchettu finitu ùn deve micca più di un certu spessore, per quessa chì i wafers di macinazione più fini sò sempre perseguiti.U più diluente l'ostia, più difetti ci sò, è u più difficiule u prossimu prucessu.Per quessa, a tecnulugia avanzata hè necessaria per migliurà stu prublema.

5. Cambia di lu mètudu grinding daretu

Tagliendu wafers u più sottili pussibule per superà e limitazioni di e tecniche di trasfurmazioni, a tecnulugia di grinding backside cuntinueghja à evoluzione.Per i wafers cumuni cù un spessore di 50 o più grande, a macinazione posteriore implica trè passi: una macinazione ruvida è dopu una macinazione fine, induve a wafer hè tagliata è lucidata dopu duie sessioni di macinazione.À questu puntu, simili à Polishing Chimica Meccanica (CMP), Slurry è Deionized Water sò generalmente appiicati trà u pad di lucidatura è l'ostia.Stu travagliu di lucidatura pò riduce l'attrito trà l'ostia è u pad di lucidatura, è rende a superficia luminosa.Quandu l'ostia hè più grossa, Super Fine Grinding pò esse usata, ma u più diluente l'ostia, u più pulitu hè necessariu.

Se l'ostia diventa più fina, hè propensa à difetti esterni durante u prucessu di taglio.Dunque, se u grossu di a wafer hè 50 µm o menu, a sequenza di prucessu pò esse cambiata.À questu tempu, u metudu DBG (Dicing Before Grinding) hè utilizatu, vale à dì, l'ostia hè tagliata à a mità prima di a prima macinazione.U chip hè sicuru siparatu da u wafer in l 'ordine di Dicing, grinding, e slicing.Inoltre, ci sò metudi spiciali di macinazione chì utilizanu una piastra di vetru forte per impediscenu a rottura di l'ostia.

Cù a crescente dumanda di integrazione in a miniaturizazione di l'apparecchi elettrici, a tecnulugia di grinding backside ùn deve micca solu superà e so limitazioni, ma ancu cuntinuà à sviluppà.À u listessu tempu, ùn hè micca solu necessariu di risolve u prublema di difetti di l'ostia, ma ancu di preparà per i novi prublemi chì ponu esse in u futuru prucessu.Per risolve questi prublemi, pò esse necessariucambiaa sequenza di prucessu, o intruduce tecnulugia incisione chimica appiicata à usemiconductorprucessu front-end, è sviluppà cumplettamente novi metudi di trasfurmazioni.Per risolve i difetti inerenti di i wafers di grande area, una varietà di metudi di macinazione sò esplorati.Inoltre, a ricerca hè stata realizata nantu à cumu riciclà a scoria di siliciu prodotta dopu a macinazione di i wafers.

 


Tempu di post: Jul-14-2023